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振實密度儀是粉體物性中的一項重要參數
振實密度儀是粉體物性中的一項重要參數振實密度儀由可調速電機、振動組件、微電腦和微型打印機等部件組成。且儀器具有結構緊湊、牢固,操作簡單等特點。為什么要測振實密度?是指將盛在容器中的粉體在規定的條件下被振實后的密度。粉末冶金制程中需要將粉末予以振實以提高其密度,例如在冷、熱均壓時都希望粉末之振實密度越高越好,因為生胚密度越接近成品之理論密度則燒結溫度可降低,燒結時間可減少而且燒結時的收縮率較小,成品尺寸較穩定。振實密度儀作為粉體物性中的一項重要參數,是指一定重量(或體積)的粉體...
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粉末壓實密度的相關原理介紹
壓實密度(compacteddensity)。定義:在鋰離子電池設計過程中,壓實密度=面密度/(極片碾壓后的厚度—集流體厚度),單位:g/cm3壓實密度分為:負極壓實密度Anodedensity(或稱為陽極壓實密度)和正極壓實密度Cathodedensity(或稱為陰極壓實密度)。鋰離子動力電池在制作過程中,壓實密度對電池性能有較大的影響。通過實驗證明,壓實密度與片比容量,效率,內阻,以及電池循環性能有密切的關系。找出z佳壓實密度對電池設計很重要。一般來說,壓實密度越大,電池...
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想知道什么是粉體特性測試儀么?看看這些吧
粉體特性測試儀(或稱粉體綜合特性測試儀)是依據美國ASTMD6393-99標準(StandardTestMethodforBulkSolidsCharacterizationbyCarrIndices)的要求,并參考了中國國家標準GB/T5162-2006/ISO3953:1993(金屬粉末振實密度的測定)、GB/T1482-2010(用標準漏斗法測定金屬粉末的流動性)、GB/T1479.1-2010(金屬粉末松裝密度——漏斗法)、GB/T16913.3-2008(自然堆積法...
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粉體休止角的三種測定方法介紹
粉體的流動性無法用單一的特性值來表達,常用休止角表示。通常是指粉體堆積層的自由斜面與水平面所形成的角。在靜平衡狀態下,粉體堆積斜面與底部水平面所夾銳角叫做休止角。它是通過特定方式使粉體自然下落到特定平臺上形成的。休止角反映粉體顆粒間動態摩擦系數大小。休止角越大,摩擦系數越大,粉體的流動性越差。一般認為休止角小于40°時粉體的流動性良好,可滿足壓片過程中對流動性的要求。休止角大于40°,則要通過修飾顆粒表面或添加輔料等方式來改善。休止角的測定方法有:(1)注入法將粉體從漏斗上方...
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粉末松裝密度的影響因素有哪些?
影響粉末松裝密度的因素很多,如粉末顆粒形狀、尺寸、表面粗糙度及粒度分布等。通常這些因素因粉末的制取方法及其工藝條件的不同而有明顯差別。一般地說,粉末松裝密度儀隨顆粒尺寸的減小、顆粒非球狀系數的增大以及表面粗糙度的增加而減小。粉末粒度組成對其松裝密度儀的影響不是單值的,常由顆粒填充空隙和架橋兩種作用來決定。若以后者為主,則使粉末松裝密度儀降低;若以前者為主,則使粉末松裝密度儀提高。為獲得所需要的粉末松裝密度儀值,除考慮以上的因素外,合理地分級合批也是可行的辦法。粉末的松裝密度除...
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了解一下電阻率測試儀的使用方法及注意事項吧
電阻率測試儀是取代直流單、雙臂電橋的高精度換代產品。儀器采用了先進的開關電源技術,其測量速度比電橋快一百多倍,顯示部分由四位半LCD液晶顯示測量結果,三位半LCD液晶顯示環境溫度或測試電流值,克服了其它同類產品由LED顯示值在陽光下不便讀數的缺點,同時具備了自動消弧功能。本儀器具有測速快、精度高、顯示直觀、抗干擾能力強、體積小、耗電省、測試數據穩定可靠、不受人為因素影響等優點。儀器內裝可充電電池組(12V),交直流兩用,便于現場及野外測試。電阻率測試儀使用方法及注意事項吧A:...
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粉末壓實密度的原理和計算方法
粉末壓實密度儀主要用于粉末和顆粒壓實密度測試,在外力的壓縮過程中,隨著粉末的移動和變形,較大的空隙被填充,顆粒間接觸面積增大,使原子間產生吸引力且顆粒間的機械楔合作用增強,從而形成具有一定密度和強度的壓坯。可以用于具有類似特性之粉末和顆粒壓實密度之測定。壓實密度的計算公式:壓實密度=面密度/材料的厚度在鋰離子電池設計過程中,壓實密度=面密度/(極片碾壓后的厚度—集流體厚度),單位:g/cm3;壓實密度分為:負極壓實密度Anodedensity(或稱為陽極壓實密度)和正極壓實密...
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方塊電阻的計算方法
方塊電阻又稱膜電阻,是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值,該數值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的計算方法:方塊電阻:Rs=ρ/t(其中ρ為塊材的電阻率,t為塊材厚度)或者寫成電導率的表達式:Rs=1/(σt)這樣在計算塊材電阻的時候,我們就可以利用方塊電阻乘以長寬比例得到,計算過程與維度無關:R=Rs*L/W(L為塊材長度,W為塊材寬度)方塊電阻測試儀是用來測量半導體材料(主要是硅單晶、鍺單晶、硅片)電阻率,以及擴散層、外延層、I...